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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP120N06S4-03 

产品描述

MOSFET N-Channel 60V MOSFET

内部编号

173-IPP120N06S4-03

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:448
1+¥14.0173
10+¥11.2822
100+¥9.0258
500+¥7.9317
1000+¥6.571
2500+¥6.0992
5000+¥5.8736
10000+¥5.4291
最小起订量:1
美国加州
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IPP120N06S4-03产品详细规格

规格书 IPP120N06S4-03 datasheet 规格书
IPx120N06S4-03
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 120A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.2 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 120µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 160nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 13150pF @ 25V
功率 - 最大 167W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
P( TOT ) 167W
匹配代码 IPP120N06S4-03
安装 THT
R( THJC ) 0.9K/W
LogicLevel NO
包装 TO220-3
单位包 500
标准的提前期 17 weeks
最小起订量 500
Q(克) 125nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 AEC-Q(100)
我(D ) 120A
V( DS ) 60V
的RDS(on ) at10V 0.0028Ohm
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 120A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 120µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 500
供应商设备封装 PG-TO220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.2 mOhm @ 100A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 167W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 13150pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 160nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 IPP120N06
零件号别名 IPP120N06S403AKSA1 SP000396380
RoHS RoHS Compliant

IPP120N06S4-03系列产品

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